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一、課題組簡(jiǎn)介

實(shí)驗(yàn)室簡(jiǎn)介：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點(diǎn)突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長(zhǎng)、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展，提高我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學(xué)術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國(guó)科學(xué)院院士1人、浙江大學(xué)和浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術(shù)開(kāi)發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在advanced functional materials、physical review applied、applied physics letters、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、 journal of materials chemistry c、advanced electronic materialsl等國(guó)際期刊發(fā)表sci論文40余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利70余項(xiàng)，其中授權(quán)12項(xiàng)，申請(qǐng)實(shí)用新型專利30余項(xiàng)，其中授權(quán)17項(xiàng)。

主要負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介：李東珂，求是科創(chuàng)學(xué)者（“科創(chuàng)百人計(jì)劃”研究員），浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2018年于南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院獲得工學(xué)博士學(xué)位（師從徐駿教授），2022年加入浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院。近年來(lái)的研究方向主要包括硅基微納結(jié)構(gòu)材料的可控制備、硅基納電子與光電子器件，發(fā)表sci等收錄論文30余篇，主持多項(xiàng)國(guó)家與省部級(jí)科研項(xiàng)目；入選為江蘇省物理學(xué)會(huì)第十五屆青年工作委員會(huì)、江蘇省雙創(chuàng)博士（世界名校類）、淮安市第三屆十大科技之星等。

二、重點(diǎn)引進(jìn)方向

碳化硅的外延生長(zhǎng)與摻雜（滿足其一即可）

1.碳化硅外延層的生長(zhǎng)和制備；

2.碳化硅的生長(zhǎng)與摻雜動(dòng)力學(xué)研究；

3.碳化硅中雜質(zhì)的摻雜機(jī)制與行為表現(xiàn)特征研究；

4.基于碳化硅外延薄膜的光電子器件開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)。

三、申請(qǐng)條件

1.具有物理、材料、微電子、光電等相關(guān)學(xué)科背景和科研經(jīng)驗(yàn)，從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；

2.近五年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康；

3.保證全職從事博士后研究工作；

4. 具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫(xiě)能力。

四、待遇及保障條件:

1.根據(jù)科研工作能力提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬(wàn)元）；

2.對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；

3.提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

4.協(xié)助申請(qǐng)杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開(kāi)發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬(wàn)人才補(bǔ)貼。

五、申請(qǐng)材料:

1.個(gè)人簡(jiǎn)歷；

2.表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：獲獎(jiǎng)情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等）及佐證材料；

3.博士學(xué)位論文。

申請(qǐng)人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：ldkest@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“李東珂課題組+博士后+姓名”標(biāo)明。

六、聯(lián)系方式:

聯(lián)系人：劉老師

聯(lián)系電話：0571-82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)